1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Немає в наявності
Код товару: FDC634P
13,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: FDC634P
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: -3,5А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: P-MOSFET
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 2
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 2

715,92 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898; IEC EN 60947-2
Кількість полюсів:
2
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 9,53Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 9,53Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,13 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Patch cord; S/FTP; Cat 7; 1,5м; тросик; Cu; LSZH; 26AWG
Patch cord; S/FTP; Cat 7; 1,5м; тросик; Cu; LSZH; 26AWG

563,23 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Манометр; 0÷4бар; Клас: 1,6; 160мм; Темп: -40÷60°C; IP54; сталь
Манометр; 0÷4бар; Клас: 1,6; 160мм; Темп: -40÷60°C; IP54; сталь

2257,35 грн

Вимір:
тиску
Властивості вимірювальних приладів:
нижнє положення датчика
Діаметр:
160мм
Діапазон вимірювання тиску:
0...4бар
Резистор: дротяний; 33Ом; THT; 1Вт; ±5%; Ш0,54x28мм; Ø3,5x10мм
Резистор: дротяний; 33Ом; THT; 1Вт; ±5%; Ш0,54x28мм; Ø3,5x10мм

3,64 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
корпус стійкий до високої температури
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
10мм
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 18ВDC; DIP24; THT
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 18ВDC; DIP24; THT

912,95 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вхідна напруга:
36...72В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Кількість виходів:
1
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,23А; 420мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,23А; 420мВт

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,72нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,49А; 0,5Вт; SC59
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,49А; 0,5Вт; SC59

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -140мА; Idm: -1,2А; 0,33Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -140мА; Idm: -1,2А; 0,33Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; 75Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -25А; 75Вт; DPAK

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,7А; Idm: -44А; 60Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,7А; Idm: -44А; 60Вт

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7А; Idm: -25А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SC74; TSOP6