Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт

Немає в наявності
Код товару: RTQ035P02FHATR
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RTQ035P02FHATR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10,5нКл
Корпус: TSMT6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -3,5А
Струм стоку в імпульсі: -14А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Монтажний комплект; SBU; 358x412x16мм
Монтажний комплект; SBU; 358x412x16мм

21216,45 грн

Зовнішні розміри:
358x412x16мм
Серія виробника:
SBU
Тип вимірювальних аксесуарів:
монтажний комплект
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -26А; 150Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -26А; 150Вт; TO252

285,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 9ВDC; Uвих.2: -9ВDC

324,38 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
0,111А
Транзистор: P-JFET; польовий; 1,5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 1,5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; DPAK

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6,9А; 2Вт; TSOP6

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,7А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,7А; 2Вт; PG-TSOP-6

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-323

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В