1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -15А; 1,7Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -15А; 1,7Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: SI2367DS-T1-BE3
6,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2367DS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 66мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: -3,8А
Струм стоку в імпульсі: -15А
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0805; 130мВт; ±5%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0805; 130мВт; ±5%; AC; -55÷155°C

0,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
2x1,25мм
Корпус - дюйм:
0805
Конденсатор: керамічний; 2,2мкФ; 6,3ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 2,2мкФ; 6,3ВDC; X5R; ±20%; SMD; 0603

5,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
IC: SoC; QFN48; 256кБRAM,1МБFLASH; Таймери 32бита: 5; 1,7÷5,5ВDC
IC: SoC; QFN48; 256кБRAM,1МБFLASH; Таймери 32бита: 5; 1,7÷5,5ВDC

320,58 грн

Версія Bluetooth:
5.0; BLE
Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PPI; PWM; RNG; RSSI; RTC
Інтерфейс:
GPIO; I2C; I2S; NFC-A; PDM; QDEC; QSPI; SPI; USB
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TFBGA48; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 8нс; TFBGA48; -40÷85°C

312,98 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TFBGA48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 4А; 30нс; MELF; Ufmax: 1,35В; Ifsm: 75А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 4А; 30нс; MELF; Ufmax: 1,35В; Ifsm: 75А

863,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
MELF
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кристал; 16МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±20ppm
Кристал; 16МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 12пФ; Стаб.част: ±20ppm

15,33 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
12пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-20...70°C
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD