1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: SI2323DDS-T1-GE3
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13,6нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 68мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: -3,8А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 50ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 50ВDC; X7R; ±5%; SMD; 0603

0,34 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
15нФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60

357,32 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток; туба
Корпус:
TWBGA60
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 5мм; Довж.заг: 126мм
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 5мм; Довж.заг: 126мм

116,57 грн

Вид ключа:
кулевидна
Загальна довжина:
126мм
Розмір ключа:
HEX 5мм
Тип ключа:
шестигранний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V

115,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 115кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 115кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD