1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,2А; SOT23-6

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,2А; SOT23-6
Немає в наявності
Код товару: PJS6414_S1_00001
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJS6414_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 12В
Напруга сток-джерело: -20В
Поляризація: польовий
Струм стока: -5,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Підставка: інтегровані схеми; PLCC52; THT; фосфориста бронза
Підставка: інтегровані схеми; PLCC52; THT; фосфориста бронза

61,45 грн

Використання:
PLCC52
Електричний монтаж:
THT
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Покриття контакту:
луджений
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50ВDC; X7R
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 50ВDC; X7R

7,67 грн

Діелектрик:
X7R
Ємність:
1нФ
Робоча напруга:
50В DC
Тип конденсатора:
керамічний
Недоступний
Tap: metric; M26; fine thread,right hand thread; 1.5; L: 140mm
Tap: metric; M26; fine thread,right hand thread; 1.5; L: 140mm

9863,80 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для некрізних отворів
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

5,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,5пФ
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 36,7В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 36,7В; DO214AB,SMC; Ch: 1; ролик,cтрічка

286,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,1нФ
Зворотна напруга макс.:
33В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 750В; 30А; Idm: 132А; 185Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 750В; 30А; Idm: 132А; 185Вт

581,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
HU3PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23