Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 750В; 30А; Idm: 132А; 185Вт

Немає в наявності
Код товару: SCT060HU75G3AG
581,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SCT060HU75G3AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: HU3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -10...22В
Напруга сток-джерело: 750В
Опір в стані провідності: 78мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 185Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 132А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: дротяний; 56Ом; THT; 3Вт; ±5%; Ш0,7x28мм; Ø5,5x16мм
Резистор: дротяний; 56Ом; THT; 3Вт; ±5%; Ш0,7x28мм; Ø5,5x16мм

13,81 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
корпус стійкий до високої температури
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.500ВAC; макс.250ВDC; PG13,5
Кінцевий датчик; NO + NC; 10А; макс.500ВAC; макс.250ВDC; PG13,5

826,15 грн

Вид головки:
гумове ущільнення; пружина, загальна довжина 101,5мм
Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC

58,92 грн

Виводи:
до лютування
Кількість пін:
4
Конструкція:
одна обмотка
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; 0402; 63мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 470кОм; 0402; 63мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 560Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 560Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73R; 75В

0,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thin film; 115кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 115кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223