Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: NTMD6P02R2G
29,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: NTMD6P02R2G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 33мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -5,7А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 0,3Вт; 51В; SMD; SOD523; Ifмакс: 200мА; одиночний діод
Діод: зенера; 0,3Вт; 51В; SMD; SOD523; Ifмакс: 200мА; одиночний діод

3,80 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
51В
Корпус:
SOD523
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 1206

2,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 330мм

1,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

10,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; Idm: -30А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; Idm: -30А; 1,6Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23