Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,7А; Idm: -24А; 2Вт; TSOT26

Немає в наявності
Код товару: DMP2035UVTQ-13
7,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMP2035UVTQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 23,1нКл
Корпус: TSOT26
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 62мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -5,7А
Струм стоку в імпульсі: -24А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Датчик: рівня; G 1"; 10÷30ВDC; IP65,Nema 4X; рідини; FTW33
Датчик: рівня; G 1"; 10÷30ВDC; IP65,Nema 4X; рідини; FTW33

21635,86 грн

Вид виходу 1:
PNP
Вид датчика:
ємкісний; провіднісний
Використання:
рідини
Додаткові функції:
приварний адаптер
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "папа"; прямий; 2,5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "папа"; прямий; 2,5м; вилка; 60ВDC

840,73 грн

Довжина кабелю:
2,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9

97,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DSBGA9
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 353В; 3,1А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 353В; 3,1А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

19,96 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
300В
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 96; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 96; THT; straight

184,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
26,7мм
Електричний монтаж:
THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; G2RL
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; G2RL

202,74 грн

Виводи:
для друку
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
8А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD