1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9
Немає в наявності
Код товару: CSD22204WT
97,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD22204WT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DSBGA9
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -8В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: -5А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 353В; 3,1А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 353В; 3,1А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

19,96 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
300В
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 96; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 96; THT; straight

184,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
26,7мм
Електричний монтаж:
THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; G2RL
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; G2RL

202,74 грн

Виводи:
для друку
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
8А
Недоступний
Роз’єм: automotive; гніздо,вилка; штекерний; DuraMate AHDP
Роз’єм: automotive; гніздо,вилка; штекерний; DuraMate AHDP

383,93 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
19 (13+6)
Корпус:
розмір 24
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований; PUR; IP65,IP67,IP68
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований; PUR; IP65,IP67,IP68

2707,18 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68
Модель роз’єму:
екранований
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206

2,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 61,9кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 61,9кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-5...20В