1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -630мА; Idm: -3,3А; 1,6Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -630мА; Idm: -3,3А; 1,6Вт
Немає в наявності
Код товару: TP2502N8-G
81,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TP2502N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT89-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Стандартне пакування виробника: 2000шт.
Струм стока: -630мА
Струм стоку в імпульсі: -3,3А
Тип транзистора: P-MOSFET
IC: цифровий; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC70-5; 1,65÷5,5ВDC; -40÷85°C
IC: цифровий; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC70-5; 1,65÷5,5ВDC; -40÷85°C

4,43 грн

Вид затвору:
AND
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
SC70-5
Patch cord; Cat 6; з обох сторін; 304,8мм; 24AWG
Patch cord; Cat 6; з обох сторін; 304,8мм; 24AWG

89,33 грн

Будова екрану:
неекранований
Діаметр жили:
24AWG
Довжина кабелю:
304,8мм
Категорія Ethernet:
Cat 6
Недоступний
Діод: TVS; 150В; 2А; двоспрямована; ±5%; DO15; 400Вт; P4KE; Ammo Pack
Діод: TVS; 150В; 2А; двоспрямована; ±5%; DO15; 400Вт; P4KE; Ammo Pack

8,62 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
128В
Корпус:
DO15
Недоступний
Викрутка: стандартний; плоскa; 1,2x4мм; вузький профіль; Morphos
Викрутка: стандартний; плоскa; 1,2x4мм; вузький профіль; Morphos

473,90 грн

Властивості викруток:
захист від скачування; протиковзке покриття рукоятки; трикомпонентна рукоятка; фосфатована голівка
Довжина леза:
150мм
Загальна довжина:
271мм
Матеріал покриття:
хром
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5

32,69 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-0,15...0,15мВ
Недоступний
Індикатор: LED; увігнутий; білий; 220ВDC; Ø13мм; IP40; проводи
Індикатор: LED; увігнутий; білий; 220ВDC; Ø13мм; IP40; проводи

0,00 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
увігнутий
Діаметр діода ДУВ:
10мм
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1,5А; 1210L; 1210
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1,5А; 1210L; 1210

16,09 грн

Вимір D:
0,75мм
Імпульсний струм:
100А
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,9А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,9А; 1,6Вт; SuperSOT-6

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
SO8