1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -660мА; Idm: -2,64А; 200мВт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM02P06G
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM02P06G
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT323
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,52Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм стока: -660мА
Струм стоку в імпульсі: -2,64А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; 1210
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100В; X7R; ±10%; 1210

2,43 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; THT; 3A; 250V

458,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 470мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 470мкФ; 16ВDC; ±20%

30,41 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
12,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷600В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷600В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц

1837,94 грн

Вимір:
напруги AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
без поділки; з затвердженням контролю якості
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Недоступний
Резистор: thick film; 511Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 511Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Недоступний
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка

0,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
RF
Ємність:
4,45...11,1пФ
Зворотна напруга макс.:
10В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23