1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,225А; 1,5Вт; SC73,SOT223

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,225А; 1,5Вт; SC73,SOT223
Немає в наявності
Код товару: BSP225,115
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSP225,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC73; SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -250В
Опір в стані провідності: 15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -0,225А
Тип транзистора: P-MOSFET
Викрутка: стандартний; Torx®; TX40; 621TBI; Довж.леза: 130мм
Викрутка: стандартний; Torx®; TX40; 621TBI; Довж.леза: 130мм

603,78 грн

Властивості викруток:
ергономічна рукоятка; трикомпонентна рукоятка; хромоване лезо; чорнений наконечник леза
Довжина леза:
130мм
Загальна довжина:
250мм
Матеріал стержня:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Захисна трубка; ПВХ,сталь; чорний; SILVYN® LCC-2; Øвнутр: 16,9мм
Захисна трубка; ПВХ,сталь; чорний; SILVYN® LCC-2; Øвнутр: 16,9мм

361,76 грн

Діаметр внутрішній:
16,9мм
Діаметр зовнішній:
21,5мм
Колір:
чорний
Матеріал:
ПВХ; сталь
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 150нГн; Iробочий: 32А; 7x7x4,95мм; Isat: 24А
Реактор: дротяний; SMD; 150нГн; Iробочий: 32А; 7x7x4,95мм; Isat: 24А

52,58 грн

Індуктивність:
0,15мкГн
Монтаж:
SMD
Опір котушки:
460мкОм
Робоча температура:
-40...125°C
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 10бит; 3,4Мsps; Ch: 1; 1,8÷5,5В; QFN16; 270кГц
IC: перетворювач D/A; 10бит; 3,4Мsps; Ch: 1; 1,8÷5,5В; QFN16; 270кГц

69,06 грн

Max DNL:
±0,25LSB
Max INL:
±0,25LSB
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR
Недоступний
Резистор: metal film; 500кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; Ø2,5x6,8мм
Резистор: metal film; 500кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; Ø2,5x6,8мм

0,39 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C; 500мА
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C; 500мА

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
5,9Ом
Недоступний
Котушка; SMD; 1мГн; ±10%; 130мА; W: 5,2мм; H: 3,3мм; L: 5,8мм
Котушка; SMD; 1мГн; ±10%; 130мА; W: 5,2мм; H: 3,3мм; L: 5,8мм

10,52 грн

Висота:
3,3мм
Довжина:
5,8мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
1мГн
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -40А; Idm: -100А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -40А; Idm: -100А

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
225нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -15А; 0,5Вт; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -15А; 0,5Вт; SOT323

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252