Транзистор: P-MOSFET; польовий; -25В; -140мА; Idm: -0,5А; 450мВт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -25В; -140мА; Idm: -0,5А; 450мВт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMG302PU-13
Price: 6.40 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMG302PU-13

6,40 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 10000

Крок додавання: 10000

Код товару:

DMG302PU-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

0,35нКл

Корпус:

SOT23

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±8В

Напруга сток-джерело:

-25В

Опір в стані провідності:

13Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,45Вт

Струм стока:

-0,14А

Струм стоку в імпульсі:

-0,5А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
7,5нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
MLP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
27нКл

Корпус:
SO8