1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -25В; -5,4А; 0,8Вт; U-DFN2020-6

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -25В; -5,4А; 0,8Вт; U-DFN2020-6
Немає в наявності
Код товару: DMP2039UFDE-7
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP2039UFDE-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: U-DFN2020-6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -25В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,8Вт
Струм стока: -5,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 5,6В; DO41; 10мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1Вт; 5,6В; DO41; 10мкА; Ufmax: 1,2В

149,52 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
5,6В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Індикатор: LED; увігнутий; білий; 24ВDC; 24ВAC; Ø8мм; IP67; ØLED: 5мм
Індикатор: LED; увігнутий; білий; 24ВDC; 24ВAC; Ø8мм; IP67; ØLED: 5мм

314,88 грн

Виводи:
конектори
Вид індикатора:
увігнутий
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; H: 101мм; 25мкФ; 700ВDC; 400ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; H: 101мм; 25мкФ; 700ВDC; 400ВAC

1771,42 грн

Виводи:
гвинти М10
Висота:
101мм
Діаметр:
60мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 4кБSRAM,16кБFLASH; TSSOP20; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 4кБSRAM,16кБFLASH; TSSOP20; 1,8÷3,6ВDC

89,33 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
GPIO; I2C; ISP; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
18
Корпус:
TSSOP20
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 7,68Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 7,68Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: metal film; 280Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 280Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD