1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,4А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,4А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3
Немає в наявності
Код товару: DMP32D4SFB-7B
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP32D4SFB-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: X1-DFN1006-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 2,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -0,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJUP3F; 150В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJUP3F; 150В

1,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 274Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 274Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 8А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 8А

81,09 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
20x10x10,6мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V

188,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
21мм
Недоступний
Резистор: thin film; 43Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 43Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 660мА
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 660мА

1901,29 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,66А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,9А; Idm: -11,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,9А; Idm: -11,6А; 1,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,9нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9,1А; Idm: -36А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9,1А; Idm: -36А; 3,1Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -70А; Idm: -280А; 43,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -70А; Idm: -280А; 43,1Вт

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -18А; Idm: -72А; 70Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -18А; Idm: -72А; 70Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -60А; Idm: -240А; 29,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -60А; Idm: -240А; 29,7Вт

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,5А; Idm: -42А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,5А; Idm: -42А; 3,1Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
SOP8