1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NDS352AP
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NDS352AP
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 3нКл
Корпус: SuperSOT-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -0,9А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 121Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 121Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Патч-корд світлопроводний; OM4; BFOC/LC; 1м; 50/125мкм; LSZH
Патч-корд світлопроводний; OM4; BFOC/LC; 1м; 50/125мкм; LSZH

3636,60 грн

Вид волокна:
MMF OM4
Вид матеріалу:
армований арамідним волокном; негалогенний; не поширює полум'я
Довжина кабелю:
1м
Зовнішній діаметр проводу:
2,8мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

6,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 976кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 976кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; 440; 32В; IP67
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; 440; 32В; IP67

1316,52 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
8
Резистор: thin film; 15Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В
Резистор: thin film; 15Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,5%; ARG; 200В

1,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 8Аx2; 27нс; SMPD,TO263AC; Ufmax: 1В
Діод: випрямний; SMD; 200В; 8Аx2; 27нс; SMPD,TO263AC; Ufmax: 1В

100,74 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Кількість в наборі/упаковці:
2000шт.
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8