1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт
Немає в наявності
Код товару: VP3203N8-G
95,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VP3203N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT89-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Стандартне пакування виробника: 2000шт.
Струм стока: -1,1А
Струм стоку в імпульсі: -4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT23; AUC; 10мкА
IC: цифровий; тригер D; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT23; AUC; 10мкА

18,37 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOT23
Недоступний
Кожух; метал; гвинт; 120x120мм
Кожух; метал; гвинт; 120x120мм

79,83 грн

Кріплення:
гвинт
Матеріал:
метал
Розмір вентилятора:
120x120мм
Розмір вентиляційного отвору:
120x120мм
Недоступний
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thin film; 42,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 42,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,9А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,9А; 1,6Вт; SuperSOT-6

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
SO8