1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10,8А; Idm: -80А; 1,3Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10,8А; Idm: -80А; 1,3Вт
Немає в наявності
Код товару: DMG7401SFG-7
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG7401SFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: -10,8А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0402
Резистор: thick film; 2,2МОм; SMD; 0402

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 43В; SMD; DO213AB; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 43В; SMD; DO213AB; 50нА

697,54 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
43В
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 6,67÷7,37В; 38,8А; односпрямована; DO214AC,SMA
Діод: TVS; 400Вт; 6,67÷7,37В; 38,8А; односпрямована; DO214AC,SMA

2,48 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
6,67...7,37В
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 120мОм; ±20%; NRS; 1,6А; 8x8мм
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; R: 120мОм; ±20%; NRS; 1,6А; 8x8мм

12,86 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо; ферит
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 1А; 500мВт; SOT323
Транзистор: NPN; біполярний; 50В; 1А; 500мВт; SOT323

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 249кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 249кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 008004
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 008004

1,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET