1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD
Немає в наявності
Код товару: RRS100P03HZGTB
112,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RRS100P03HZGTB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: SOP8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 12,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -10А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 20; har-flex®
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 20; har-flex®

712,11 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
har-flex str f 9.05mm 20p PL1
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Дисплей: LCD; 7-сегментний; STN Positive; К-ть знак: 4,5
Дисплей: LCD; 7-сегментний; STN Positive; К-ть знак: 4,5

292,07 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
10мм
К-ть знаків, що відображуються:
4,5
Робоча температура:
-40...90°C
Недоступний
Роз’єм: HDC; EPIC® MH PE BCEM 25sqmm D=10.0mm; промислова
Роз’єм: HDC; EPIC® MH PE BCEM 25sqmm D=10.0mm; промислова

1506,59 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
EPIC® MH PE BCEM 25sqmm D=10.0mm
Тип роз’єму:
HDC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -6А; Idm: -40А; 3,8Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -6А; Idm: -40А; 3,8Вт; TO252

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,3А; Idm: -7А; 0,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,3А; Idm: -7А; 0,7Вт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,4нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,9А; Idm: -11,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,9А; Idm: -11,6А; 1,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,9нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9,1А; Idm: -36А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -9,1А; Idm: -36А; 3,1Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -70А; Idm: -280А; 43,1Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -70А; Idm: -280А; 43,1Вт

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -18А; Idm: -72А; 70Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -18А; Idm: -72А; 70Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO252