1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -17А; Idm: -45А; 1,4Вт; SO8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -17А; Idm: -45А; 1,4Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: DMG4413LSS-13
18,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMG4413LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 10,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: -17А
Струм стоку в імпульсі: -45А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; I2C; 256x8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; I2C; 256x8бит; SOIC8; послідовний

18,50 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 7,5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 7,5м; вилка; 60ВDC

1173,34 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Застосування проводів:
промислові мережі EtherCAT Power
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Недоступний
Тиристор: стандартний; 100В; 25мА; Igt: 200мкА; THT
Тиристор: стандартний; 100В; 25мА; Igt: 200мкА; THT

4171,95 грн

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Монтаж:
THT
Струм вентиля:
0,2мА
Струм провідності:
25мА
Недоступний
Вимикач максимального струму; 6А; Полюси: 2; SNAP-IN; TA45 2P
Вимикач максимального струму; 6А; Полюси: 2; SNAP-IN; TA45 2P

947,16 грн

Виводи:
конектори
Кількість полюсів:
2
Колір кнопки:
білий
Монтаж:
snap-in
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 19В; 54А; односпрямована; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 19В; 54А; односпрямована; Ch: 1; -65÷150°C

155,85 грн

Зворотна напруга макс.:
17,1В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
19В
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; синій; 600В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; синій; 600В; 30,5м

2894,71 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/4 (Type E); NEMA HP3; UL 1213; VW-1
Недоступний
Резистор: thin film; 18Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 18Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

2,65 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8