1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -234А; Idm: -900А; 84,4Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -234А; Idm: -900А; 84,4Вт
Немає в наявності
Код товару: NVMFWS003P03P8ZT1G
126,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFWS003P03P8ZT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 167нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 1,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 84,4Вт
Струм стока: -234А
Струм стоку в імпульсі: -900А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 250V

275,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SMD; 40В; 2,6А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SMD; 40В; 2,6А; ролик,cтрічка

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
340пФ
Зворотна напруга макс.:
40В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Конденсатор: керамічний; 27пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; 0,5мм
Конденсатор: керамічний; 27пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; 0,5мм

0,15 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
27пФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
50В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 6,5÷16ВDC; DIP14; 130дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 6,5÷16ВDC; DIP14; 130дБ

272,43 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мкВ
Діапазон напруги живлення:
6,5...16В DC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15,6А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15,6А; 125Вт; D2PAK

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,18нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; Idm: -8А; 1,7Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; Idm: -8А; 1,7Вт; SOT23

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -4А; Idm: -26А; 74Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -4А; Idm: -26А; 74Вт

165,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,2А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,2А; 1,5Вт; SOT89

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO263

342,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO263