Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SQJ465EP-T1_GE3
63,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQJ465EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26,5нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 15Вт
Струм стока: -8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвих: 12ВDC; DIP24; THT; AM5T-Z; ККД: 80%
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвих: 12ВDC; DIP24; THT; AM5T-Z; ККД: 80%

912,95 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Кількість виходів:
1
ККД:
80%
Недоступний
IC: PMIC; Uвх: 4,5÷18В; Uвих: 0,8÷5,5В; buck
IC: PMIC; Uвх: 4,5÷18В; Uвих: 0,8÷5,5В; buck

0,00 грн

Вихідна напруга:
0,8...5,5В
Вихідний струм:
30А
Вхідна напруга:
4,5...18В
Кількість каналів:
1
Кабель: до датчиків; M12; правий; вилка; 4А; автоматика
Кабель: до датчиків; M12; правий; вилка; 4А; автоматика

1300,05 грн

Колір ізоляції:
чорний
Модель роз’єму:
правий
Номінальний струм:
4А
Призначення телефонного кабелю:
автоматика
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷15мм; 10÷30ВDC; M30; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷15мм; 10÷30ВDC; M30; IP67

1843,64 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...15мм
Загальна довжина:
86мм
Кількість пін:
4
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD