1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -280А; 600Вт; PowerPAK® SO8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -280А; 600Вт; PowerPAK® SO8
Немає в наявності
Код товару: SQJQ131EL-T1_GE3
91,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ131EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 1,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм стока: -280А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; 470мкФ; 200ВDC; Ø18x45мм
Конденсатор: електролітичний; 470мкФ; 200ВDC; Ø18x45мм

44,98 грн

Виводи:
радіальні
Ємність:
470мкФ
Растр виводів:
7,5мм
Робоча напруга:
200В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 1.5A

167,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 16ВDC; SMD; A; 1206
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 16ВDC; SMD; A; 1206

7,67 грн

Ємність:
3,3мкФ
Корпус:
A
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 40,2Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; I2C; 256x8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; I2C; 256x8бит; SOIC8; послідовний

18,50 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 7,5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 7,5м; вилка; 60ВDC

1173,34 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Застосування проводів:
промислові мережі EtherCAT Power
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Недоступний
Тиристор: стандартний; 100В; 25мА; Igt: 200мкА; THT
Тиристор: стандартний; 100В; 25мА; Igt: 200мкА; THT

4171,95 грн

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Монтаж:
THT
Струм вентиля:
0,2мА
Струм провідності:
25мА
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8нКл
Корпус:
SOP8