Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,3А; 1,3Вт; SOT23; ESD

Немає в наявності
Код товару: AOSS21311C
3,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 6000
Код товару: AOSS21311C
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: -3,3А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 28; THT; straight

31,61 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
22,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: HDC; Модель: високий; Сальник: PG42
Корпус для з’єднувачів: HDC; Модель: високий; Сальник: PG42

3518,76 грн

Engineering PN:
Han B Hood Top Entry HC 4 Reels Pg 42
Модель роз’єму:
високий
Різьба сальника:
PG42
Тип корпусу для з’єднувачів:
HDC
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; SPDT; ON-(ON); Поз: 2
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; SPDT; ON-(ON); Поз: 2

439,69 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
без важеля; сертифікат UL, CSA, ENEC
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 62Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 62Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; 100ppm/°C

0,16 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
62Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 16В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 16В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 180мм

7,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,05 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD