1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: SI2307CDS-T1-E3
8,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2307CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 88мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: -3,5А
Тип транзистора: P-MOSFET
Розширення різьблення до дроселів; PG21; PG16; поліамід; EW-PA
Розширення різьблення до дроселів; PG21; PG16; поліамід; EW-PA

86,16 грн

Внутрішня різьба:
PG21
Зовнішня різьба:
PG16
Колір корпусу:
світло-сірий
Матеріал корпусу:
поліамід
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 10бит; 125Мsps; Ch: 1; TSSOP28; -40÷85°C
IC: перетворювач D/A; 10бит; 125Мsps; Ch: 1; TSSOP28; -40÷85°C

0,00 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Max INL:
±1LSB
Інтерфейс:
parallel
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 64МбFLASH; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16
IC: пам'ять FLASH; 64МбFLASH; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16

130,51 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
DTR; QPI; SPI
Корпус:
SO16
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 44,4÷49,1В; 77,6А; односпрямована; SMC; 5KMC
Діод: TVS; 5кВт; 44,4÷49,1В; 77,6А; односпрямована; SMC; 5KMC

50,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SMC
Недоступний
Резистор: thick film; 6,34Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 6,34Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; SMT; 3A; 100V

378,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET