Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -12А; 1,25Вт

Немає в наявності
Код товару: RQ6E035ATTCR
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RQ6E035ATTCR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: TSMT6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -3,5А
Струм стоку в імпульсі: -12А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Насадка: Phillips-bit; PH1; 1/4"; 37мм; хром-ванадієва сталь
Насадка: Phillips-bit; PH1; 1/4"; 37мм; хром-ванадієва сталь

38,01 грн

Довжина насадки:
37мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Модель:
коротка
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® 150; H05VV5-F; 34G1,5мм2; неекранований; Cu; сірий
Провід; ÖLFLEX® 150; H05VV5-F; 34G1,5мм2; неекранований; Cu; сірий

1061,84 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 910пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 910пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 500мА; 3Вт; TO39
Транзистор: NPN; біполярний; 80В; 500мА; 3Вт; TO39

1649,14 грн

Корпус:
TO39
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
80В
Поляризація:
біполярний
Недоступний
IC: інтерфейс; 400Мбіт/с; LVTTL; 3÷3,6ВDC; LVDS; SMD; TSSOP16; Ch: 2
IC: інтерфейс; 400Мбіт/с; LVTTL; 3÷3,6ВDC; LVDS; SMD; TSSOP16; Ch: 2

220,48 грн

Вид об'єднаної схеми:
інтерфейс лінії; контролер лінії; лінійний приймач
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
differential; high speed; low voltage
Інтерфейс:
LVDS
Резистор: thick film; 10мОм; 5Вт
Резистор: thick film; 10мОм; 5Вт

51,95 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
10мОм
Потужність:
5Вт
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39Ом; 2512; 1Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1А; Idm: -4А; 1,8Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -38А; Idm: -240А; 192,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -38А; Idm: -240А; 192,3Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
64,6нКл
Корпус:
TO263