1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; Idm: -20А; 1,9Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; Idm: -20А; 1,9Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMG2307LQ-7
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG2307LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 8,2нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,134Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,9Вт
Струм стока: -3,6А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Контакт; для систем зберігання енергії
Контакт; для систем зберігання енергії

25,34 грн

Застосування роз’ємів:
для систем зберігання енергії
Роз’єм:
контакт
Тип роз’єму:
живлення DC
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C

2,40 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
6,35x3,1мм
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: шунт; 0,2мОм; SMD; 12Вт; ±1%; -65÷170°C; 2000шт.
Резистор: шунт; 0,2мОм; SMD; 12Вт; ±1%; -65÷170°C; 2000шт.

24,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
2000шт.
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Запобіжник: плавка; керамічний; PCB,THT; 10÷50А; 750÷800ВDC
Запобіжник: плавка; керамічний; PCB,THT; 10÷50А; 750÷800ВDC

429,55 грн

Вид запобіжника:
керамічний
Матеріал контакту:
сплав міді
Монтаж:
PCB; THT
Номінальна напруга:
750...800В DC
Діод: TVS; 1,5кВт; 14В; 75,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 14В; 75,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

46,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8