Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMQ30P03T1
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMQ30P03T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PDFN3030-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29,7Вт
Струм стока: -30А
Струм стоку в імпульсі: -120А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP100; 1МБFLASH; ARM; ролик,cтрічка
IC: мікроконтролер ARM; TQFP100; 1МБFLASH; ARM; ролик,cтрічка

361,13 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
EBI; EMI; I2C; I2S; IrDA; MMC; QSPI; UART; USART; USB
Недоступний
Резистор: thin film; 10,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; осьові
Резистор: thin film; 10,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; осьові

15,14 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 940мкФ; 1,1кВDC; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 940мкФ; 1,1кВDC; ±10%

11126,47 грн

Виводи:
болтове
Вид конденсатора:
DC-Link
Допуск:
±10%
Ємність:
940мкФ
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

13,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD