Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 45Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJA37EP-T1_GE3
19,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJA37EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 9,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: -30А
Струм стоку в імпульсі: -120А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 36; THT; 3A; 250V

152,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
28,6мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 3A; 250V

35,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
16мм
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 125А; Iвих: 5А; 1@max1,5ВА
Трансформатор: струмовий; Iвх: 125А; Iвих: 5А; 1@max1,5ВА

1660,54 грн

Версія вимірювальних аксесуарів:
3-фазний
Вихідний струм:
5А
Вхідний струм:
125А
Клас точності:
1 @max 1,5ВА
Недоступний
Кристал; 27,12МГц; 10пФ; ±10ppm; ±3ppm/рік; 5x3,2x0,9мм; -20÷70°C
Кристал; 27,12МГц; 10пФ; ±10ppm; ±3ppm/рік; 5x3,2x0,9мм; -20÷70°C

11,21 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
10пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
5x3,2x0,9мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 10м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 10м; вилка; 600ВDC; 600ВAC; 16А

5179,94 грн

Довжина кабелю:
10м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама"; прямий; 1м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама"; прямий; 1м; вилка; 30ВDC

1779,02 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67; IP68
Недоступний
IC: цифровий; XOR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC70-5; 1,65÷5,5ВDC; 15мкА
IC: цифровий; XOR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC70-5; 1,65÷5,5ВDC; 15мкА

39,91 грн

Вид затвору:
XOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
SC70-5
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8