Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; PDFN33

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; PDFN33
Brand: BRIDGELUX
SKU: BXT110P03E
Price: 27.24 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: BXT110P03E

27,24 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

BXT110P03E

Виробник:

BRIDGELUX

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PDFN33

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-30В

Поляризація:

польовий

Струм стока:

-35А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер PIC; 2кБ; 20МГц; SMD; SSOP20; PIC16; 3,5кБEPROM

174,23 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR

Кількість входів/виходів:
13

Корпус:
SSOP20

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1Вт; TSMT3

53,60 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-40В

Опір в стані провідності:
4,7мОм

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -4А; SOT23F

8,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23F

Струм стока:
-4А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TUMT6

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-60В