Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -40А; Idm: -100А; 2,4Вт

Немає в наявності
Код товару: DMP3007SCG-7
18,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: DMP3007SCG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 64,2нКл
Корпус: V-DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,4Вт
Струм стока: -40А
Струм стоку в імпульсі: -100А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 3,3мкГн; 260мА; R: 1,2Ом; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 3,3мкГн; 260мА; R: 1,2Ом; ±10%

8,49 грн

Високосортність:
30
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Індуктивність:
3,3мкГн
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 15,6В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 15,6В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

85,53 грн

Зворотна напруга макс.:
14В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 135 CH BK; 3G1,5мм2; FRNC; чорний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 135 CH BK; 3G1,5мм2; FRNC; чорний

360,49 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 40В; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 0,5кВт; 40В; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1; -65÷150°C

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
36В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
З`єднання: на рейку; 24А; 800В; push-in; вемид; 26AWG÷12AWG; TS35
З`єднання: на рейку; 24А; 800В; push-in; вемид; 26AWG÷12AWG; TS35

50,05 грн

Довжина:
36,5мм
Електричний монтаж:
push-in
Кількість клем:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Діод: TVS; 12,5В; 2,5А; односпрямована; DFN1006-2; Ch: 1
Діод: TVS; 12,5В; 2,5А; односпрямована; DFN1006-2; Ch: 1

1,44 грн

Ємність:
20пФ
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DFN1006-2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,7пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8