Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -42А; Idm: -128А; 21Вт

Немає в наявності
Код товару: PJD45P03E-AU_L2_006A1
51,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJD45P03E-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 21Вт
Струм стока: -42А
Струм стоку в імпульсі: -128А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
PG21; IP65; латунь; металевий; Стійкість до: промені УФ
PG21; IP65; латунь; металевий; Стійкість до: промені УФ

833,76 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
для екранованих проводів
Вид різьблення:
PG
Довжина гвинта:
7мм
Зовнішній діаметр проводу:
15...17мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THR,THT; 3A

243,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,7мм
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 4,5÷5,5В; 100кГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 4,5÷5,5В; 100кГц; SO8

26,61 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 250V

217,31 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET