Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,2А; Idm: -26А; 8,9Вт

Немає в наявності
Код товару: DIH005P03-AQ
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIH005P03-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,9Вт
Струм стока: -5,2А
Струм стоку в імпульсі: -26А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 50x50x15мм; blower; 12ВDC; 5,95м3/г; 37,3дБА; Vapo
Вентилятор: DC; 50x50x15мм; blower; 12ВDC; 5,95м3/г; 37,3дБА; Vapo

248,35 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
Vapo
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Біндер; ESD; A4; ПВХ; блакитний (світлий); 100МОм÷10ГОм
Біндер; ESD; A4; ПВХ; блакитний (світлий); 100МОм÷10ГОм

874,94 грн

Вживання антистатичних елементів:
для зберігання документів
Вид офісного товару:
біндер
Відповідність стандарту:
EN 61340-5-1
Властивості елементів антистатики:
запобігає накопиченню електричних зарядів; кільце x4; місце для етикет
Недоступний
Резистор: thin film; 1МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,50 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 1,5кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,5кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

6,78 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 1,2мГн; 45мА; R: 30Ом; ±10%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 1,2мГн; 45мА; R: 30Ом; ±10%; LQH; 180мм

5,89 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
1,2мГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 13В; 54,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 13В; 54,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB

14,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
11,1В
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

820,45 грн

Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET