1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 58Вт; DPAK,TO252

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 58Вт; DPAK,TO252
Немає в наявності
Код товару: IPD50P03P4L11ATMA2
14,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 13мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 58Вт
Струм стока: -50А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 10В; U2J; ±5%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 10В; U2J; ±5%; SMD; 0603; 330мм

1,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: рація Ethernet; MDC,MDIO,MII; QFN32; 10/100Base-T; -40÷85°C
IC: рація Ethernet; MDC,MDIO,MII; QFN32; 10/100Base-T; -40÷85°C

124,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
PHY
Інтерфейс:
MDC; MDIO; MII
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

16,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перфоратор; Ø: 5мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 150мм
Перфоратор; Ø: 5мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 150мм

256,59 грн

Діаметр наконечника:
5мм
Довжина інструмента:
150мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Тип інструмента:
перфоратор
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,8пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 220кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 220кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8