Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А; 39Вт; QFN3X3

Немає в наявності
Код товару: DI050P03PT-AQ
15,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: DI050P03PT-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: QFN3X3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 39Вт
Струм стока: -50А
Струм стоку в імпульсі: -200А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 3,3мкФ; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 3,3мкФ; Вив: радіальні

80,46 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
X2
Ємність:
3,3мкФ
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 400В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 400В; X7R; ±10%; SMD; 1812

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 470мкФ; 16ВDC; Ø10x10мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 470мкФ; 16ВDC; Ø10x10мм; ±20%

5,13 грн

Висота:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; RC; -55÷125°C
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; RC; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 143В; односпрямована; DO13; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 143В; односпрямована; DO13; Ch: 1; ролик,cтрічка

1061,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
128В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,82 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8