Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А; 39Вт; QFN3X3

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А; 39Вт; QFN3X3
Brand: DIOTEC SEMICONDUCTOR
SKU: DI050P03PT
Price: 33.58 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DI050P03PT

33,58 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DI050P03PT

Виробник:

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

70нКл

Корпус:

QFN3X3

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

8мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

39Вт

Струм стока:

-50А

Струм стоку в імпульсі:

-200А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23-3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT89

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
3,1нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
18,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
22,2нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD