1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -62А; Idm: -195А; 21,7Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -62А; Idm: -195А; 21,7Вт
Немає в наявності
Код товару: PJQ4433EP_R2_00201
36,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ4433EP_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Заряд затвора: 54нКл
Корпус: DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 8,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 21,7Вт
Струм стока: -62А
Струм стоку в імпульсі: -195А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 100V

101,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Дисплей: TFT; 4,3"; 800x480; Підсв: LED; Вим: 105,5x67,2x3,76мм
Дисплей: TFT; 4,3"; 800x480; Підсв: LED; Вим: 105,5x67,2x3,76мм

0,00 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
графічний
Вид контролера:
HX8264; HX8664
Діагональ екрану:
4,3"
Резистор: дротяний; 100Ом; керамічний; 4Вт; 50x9x10мм; осьові
Резистор: дротяний; 100Ом; керамічний; 4Вт; 50x9x10мм; осьові

91,23 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
керамічний
Довжина:
50мм
Опір:
100Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,7МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V

251,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
7,4мм
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

10,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 47мкГн; 610мА; R: 0,984Ом; ±20%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 47мкГн; 610мА; R: 0,984Ом; ±20%; LQH

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - дюйм:
1212
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8нКл
Корпус:
SOP8