Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7,3А; Idm: -29А; 1,7Вт; TSOP6

Немає в наявності
Код товару: AOTS21313C
3,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AOTS21313C
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 32мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: -7,3А
Струм стоку в імпульсі: -29А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±10%; AS; 200В
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±10%; AS; 200В

1,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -90А; Idm: -90А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -90А; Idm: -90А

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
326нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт

10,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3