Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; 7,5/-7,5А; 3Вт; SOT223-4

Немає в наявності
Код товару: NDT456P
72,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NDT456P
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 47нКл
Корпус: SOT223-4
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 7,5/-7,5А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; THT; 1,5мкФ; 50ВDC; Ø4x7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 1,5мкФ; 50ВDC; Ø4x7мм; ±20%

14,57 грн

Висота:
7мм
Діаметр:
4мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1,5мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,5пФ
Недоступний
Роз’єм: M23; вилка; PIN: 17; штекерний; промислова; M23 PRO; 125В
Роз’єм: M23; вилка; PIN: 17; штекерний; промислова; M23 PRO; 125В

1447,67 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
17
Резистор: thick film; 30мОм; вимірювальний
Резистор: thick film; 30мОм; вимірювальний

7,67 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Опір:
30мОм
Тип резистора:
thick film
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
17,7нКл
Корпус:
SOT26
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,8Вт; SOT23

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23