1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2319DS-T1-GE3
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,8Вт
Струм стока: -2,4А
Струм стоку в імпульсі: -12А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Набір інструментів: Насадки до викруток; пластикова коробка
Набір інструментів: Насадки до викруток; пластикова коробка

4797,27 грн

Вид упаковки:
пластикова коробка
Кількість в наборі/упаковці:
18шт.
Тип грота:
RIBE®
Тип набору інструментів:
Насадки до викруток
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 3А; 30нс; DO221AD,slimSMAW; Ufmax: 950мВ
Діод: випрямний; SMD; 100В; 3А; 30нс; DO221AD,slimSMAW; Ufmax: 950мВ

36,11 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
3500шт.
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 56мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 56мкФ; 100ВDC; ±20%

20,84 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 1000мкФ; 6ВDC; SMD; E; 2917; ±20%; TPM
Конденсатор: танталовий; 1000мкФ; 6ВDC; SMD; E; 2917; ±20%; TPM

395,34 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мФ
Корпус:
E
Модуль автоматики: регулятор; температура; 0÷999,9°C; SPDT; K39
Модуль автоматики: регулятор; температура; 0÷999,9°C; SPDT; K39

8824,14 грн

Вид вжитого дисплея:
LED x2
Вид виходу 1:
SPDT
Вид виходу 2:
SPDT
Вид датчика температури:
Pt100; термопара J; термопара K; термопара R; термопара S; термопара T
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 2; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 2; PUR

3703,76 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 42; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 42; THT; straight

62,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
26,7мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8