1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -700мА; Idm: -2,8А; 500мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -700мА; Idm: -2,8А; 500мВт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMP3030SN-7
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP3030SN-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SC59
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -0,7А
Струм стоку в імпульсі: -2,8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; THT; 1.5A

1225,29 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; THR,THT; 3A

127,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,7мм
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 15В; SMD; 500нА
Діод: зенера; 1,5Вт; 15В; SMD; 500нА

1635,20 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
15В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1,5Вт
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 41,2кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 41,2кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 1.5A

93,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP32; 64кБFLASH; ARM; лоток; SAM
IC: мікроконтролер ARM; TQFP32; 64кБFLASH; ARM; лоток; SAM

114,67 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; SPI; USART
Діод: TVS; 0,4кВт; 17,8÷19,7В; 15,3А; односпрямована; SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 17,8÷19,7В; 15,3А; односпрямована; SMA

15,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
16В
Корпус:
SMA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD