Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -8,3А; Idm: -128А; 2,5Вт; SO8
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP3021SSS-13
Price: 17.11 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -8,3А; Idm: -128А; 2,5Вт; SO8

Немає в наявності

Код товару: DMP3021SSS-13

17,11 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

DMP3021SSS-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Заряд затвора:

34нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±25В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

25мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,5Вт

Струм стока:

-8,3А

Струм стоку в імпульсі:

-128А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Недоступний

Бажані

Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; без важеля

103,90 грн

Виводи:
до лютування

Властивості перемикачів:
без важеля

Електрична стійкість:
500000 цикли

Кількість всіх позицій:
2

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

3,11 грн

Alias:
KGQ15ACG1H100GT

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
PQFN3.3X3.3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2,2нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
75нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD