Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -80А; 88Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: IPD80P03P4L07ATMA2
31,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 8,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 88Вт
Струм стока: -80А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 447÷494В; 2,4А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 447÷494В; 2,4А; двоспрямована; SMC

52,58 грн

Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
447...494В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 1.5A

250,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А

476,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик

948,43 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Резистор: thick film; 150Ом; 3Вт; -55÷175°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 150Ом; 3Вт; -55÷175°C; 100ppm/°C

66,52 грн

Опір:
150Ом
Потужність:
3Вт
Робоча температура:
-55...175°C
Температурний коефіцієнт:
100ppm/°C
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23