Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -13,2А; Idm: -46А; 11,5Вт

Немає в наявності
Код товару: NVTFS052P04M8LTAG
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVTFS052P04M8LTAG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,3нКл
Корпус: WDFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 69мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 11,5Вт
Струм стока: -13,2А
Струм стоку в імпульсі: -46А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP6WF
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP6WF

5,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323

12,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
0,37нКл
Корпус:
PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-5
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD