Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -134А; Idm: -322А; 500Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJ141ELP-T1_GE3
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ141ELP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 4,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: -134А
Струм стоку в імпульсі: -322А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,33кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 1,33кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD

7,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS

281,93 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Інтерфейс:
16bit SPI; FlexCAN x2; I2C; UART x2
Кількість входів/виходів:
58
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Роз’єм: M12; промислова; M; прямий; латунь; латунь; -40÷105°C
Роз’єм: M12; промислова; M; прямий; латунь; латунь; -40÷105°C

73,49 грн

Connector family:
промислова
Матеріал корпусу:
латунь
Просторова орієнтація:
прямий
Робоча температура:
-40...105°C
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67В; 38,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67В; 38,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: driver; контролер затворів; SO20-W; 4А; Ch: 2; 5кВ
IC: driver; контролер затворів; SO20-W; 4А; Ch: 2; 5кВ

480,87 грн

Вид виходу:
що інвертує; що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів
Вихідний струм:
4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15,6А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15,6А; 125Вт; D2PAK

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,18нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; Idm: -8А; 1,7Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; Idm: -8А; 1,7Вт; SOT23

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -4А; Idm: -26А; 74Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -4А; Idm: -26А; 74Вт

165,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8А; 15Вт; PowerPAK® SO8

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,2А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,2А; 1,5Вт; SOT89

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO263

342,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO263