Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -16А; 62,5Вт; Корп: 1212

Немає в наявності
Код товару: SQS415ENW-T1_GE3
24,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS415ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 82нКл
Корпус - дюйм: 1212
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 16,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: -16А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 169кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 169кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

6,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50ВDC; C0G (NP0); SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50ВDC; C0G (NP0); SMD; 0201

0,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,3пФ
Корпус - дюйм:
0201
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 160мм; L: 100мм
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 160мм; L: 100мм

256,59 грн

Виводи:
знизу
Вид покриття плати:
мідь
Властивості макетних плат:
об'єднані отвори
Діаметр отвору:
1,1мм
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJUP8F
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJUP8F

2,46 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8нКл
Корпус:
SOP8