Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -17,3А; 7,14Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: SQ4401CEY-T1_GE3
33,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SQ4401CEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,14Вт
Струм стока: -17,3А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 11; THT; 1.5A

167,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 16ВDC; SMD; A; 1206
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 16ВDC; SMD; A; 1206

7,67 грн

Ємність:
3,3мкФ
Корпус:
A
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 40,2Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; I2C; 256x8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2кБEEPROM; I2C; 256x8бит; SOIC8; послідовний

18,50 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 7,5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "мама"; прямий; 7,5м; вилка; 60ВDC

1173,34 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Застосування проводів:
промислові мережі EtherCAT Power
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Недоступний
Тиристор: стандартний; 100В; 25мА; Igt: 200мкА; THT
Тиристор: стандартний; 100В; 25мА; Igt: 200мкА; THT

4171,95 грн

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Монтаж:
THT
Струм вентиля:
0,2мА
Струм провідності:
25мА
Недоступний
Вимикач максимального струму; 6А; Полюси: 2; SNAP-IN; TA45 2P
Вимикач максимального струму; 6А; Полюси: 2; SNAP-IN; TA45 2P

947,16 грн

Виводи:
конектори
Кількість полюсів:
2
Колір кнопки:
білий
Монтаж:
snap-in
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET