Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -222А; Idm: -900А; 103Вт

Немає в наявності
Код товару: NVMFWS2D3P04M8LT1G
209,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFWS2D3P04M8LT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 157нКл
Корпус: DFNW5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 103Вт
Струм стока: -222А
Струм стоку в імпульсі: -900А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Індикатор: LED; янтарний; 2ВDC; PM3; проводи; 300мм; пластик; 40мкд
Індикатор: LED; янтарний; 2ВDC; PM3; проводи; 300мм; пластик; 40мкд

92,50 грн

Виводи:
проводи
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина відводів:
0,3м
Колір індикатора:
янтарний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20,5нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A

694,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 15Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; односпрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; односпрямована; SMA; SMAJ

7,60 грн

Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
40...44,2В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 0201

15,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 165Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,6мм
Резистор: thick film; 165Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,6мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6x0,6мм
Опір:
165Ом
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD