1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SQ2389ES-T1_GE3
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQ2389ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 169мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: -4,1А
Струм стоку в імпульсі: -16А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 2,7В; SMD; MiniMELF glass,SOD80C; ZMM
Діод: зенера; 0,5Вт; 2,7В; SMD; MiniMELF glass,SOD80C; ZMM

0,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
2,7В
Корпус:
MiniMELF glass; SOD80C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 130Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 130Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 2,54мм
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 2,54мм

5,45 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Монтаж:
THT
Конденсатор: поліестровий; 680нФ; 400ВDC; 15мм; ±10%; MKT; THT
Конденсатор: поліестровий; 680нФ; 400ВDC; 15мм; ±10%; MKT; THT

6,46 грн

Властивості конденсаторів:
безіндукційні конденсатори; великий опір ізоляції; залиті епоксидним компаундом; конденсатори із збільшеним ресурсом
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323

12,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
0,37нКл
Корпус:
PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-5
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD