Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -40А; 83Вт; PowerPAK® SO8

Немає в наявності
Код товару: SQJ443EP-T2_GE3
26,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ443EP-T2_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 29мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: -40А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: wire-wire; contact; male; data; PIN: 1; 6.35mm; tinned
Connector: wire-wire; contact; male; data; PIN: 1; 6.35mm; tinned

6,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
cтрічка
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 20В; 51,4А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 20В; 51,4А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

937,03 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 35А; Idm: 60А; 52Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 35А; Idm: 60А; 52Вт

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
31,5нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 7,79В; 124А; односпрямована; DO13; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 7,79В; 124А; односпрямована; DO13; Ch: 1

2595,67 грн

Зворотна напруга макс.:
7В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET